Samsung Electronics akan memproduksi secara massal memori flash V-NAND generasi ke-9

Menurut sumber, Samsung Electronics diperkirakan akan memulai produksi massal memori flash V-NAND generasi ke-9 akhir bulan ini, dan jumlah lapisan memori flash akan mencapai 290. Seiring meningkatnya permintaan akan perangkat penyimpanan berkinerja tinggi dan berskala besar, Samsung Electronics juga berencana meluncurkan chip NAND 430 lapis tahun depan.