Samsung Electronics untuk menghasilkan memori kilat V-NAND generasi ke-9 secara besar-besaran

Menurut sumber, Samsung Electronics dijangka memulakan pengeluaran besar-besaran memori denyar V-NAND generasi ke-9 lewat bulan ini, dan bilangan lapisan bertindan memori denyar akan mencapai 290. Memandangkan permintaan untuk peranti storan berprestasi tinggi dan berskala besar semakin meningkat, Samsung Electronics juga merancang untuk melancarkan cip NAND 430 lapisan tahun depan.