杭州鎵仁半導體有限公司與大學合作研發6吋氧化鎵單晶基板

杭州鎵仁半導體有限公司與浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院、矽及先進半導體材料全國重點實驗室合作，成功研發了6吋非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶襯底。這項成果得益於楊德仁院士團隊的自主研發和創新。