A Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company investiu 1 bilhão de yuans para se concentrar em P&D e produção de wafers epitaxiais de GaN

planeja investir 1 bilhão de yuans na pesquisa, desenvolvimento e produção de wafers epitaxiais GaN de material semicondutor de terceira geração. A empresa foi fundada em julho de 2022. Seus principais produtos incluem nitreto de gálio em silício (GaN em Si), nitreto de gálio em carboneto de silício (GaN em SiC) e nitreto de gálio em safira (GaN em safira).