Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company sijoitti miljardi yuania keskittyäkseen GaN-epitaksiaalisten kiekkojen T&K-toimintaan ja tuotantoon

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. aikoo investoida miljardi yuania kolmannen sukupolven puolijohdemateriaalien GaN-epitaksiaalisten kiekkojen tutkimukseen, kehittämiseen ja tuotantoon. Yritys perustettiin heinäkuussa 2022. Sen päätuotteita ovat galliumnitridi piipinnalla (GaN on Si), galliumnitridi piikarbidilla (GaN on SiC) ja galliumnitridi safiirilla (GaN on Sapphire).