Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company ieguldīja 1 miljardu juaņu, lai koncentrētos uz GaN epitaksiālo plāksnīšu pētniecību un izstrādi un ražošanu

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. plāno ieguldīt 1 miljardu juaņu pētniecībā, attīstībā un trešās paaudzes pusvadītāju materiāla GaN epitaksiālo plāksnīšu ražošanā. Uzņēmums tika dibināts 2022. gada jūlijā. Tā galvenie produkti ir gallija nitrīds uz silīcija (GaN uz Si), gallija nitrīds uz silīcija karbīda (GaN uz SiC) un gallija nitrīds uz safīra (GaN uz safīra).