Podjetje Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company je vložilo 1 milijardo juanov, da bi se osredotočilo na raziskave in razvoj ter proizvodnjo epitaksialnih rezin GaN

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. namerava vložiti 1 milijardo juanov v raziskave in razvoj ter proizvodnjo epitaksialnih rezin GaN iz polprevodniškega materiala tretje generacije. Podjetje je bilo ustanovljeno julija 2022. Njegovi glavni proizvodi vključujejo galijev nitrid na siliciju (GaN na Si), galijev nitrid na silicijevem karbidu (GaN na SiC) in galijev nitrid na safirju (GaN na safirju).