Firma Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company zainwestowała 1 miliard juanów, aby skoncentrować się na badaniach i rozwoju oraz produkcji płytek epitaksjalnych GaN

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. planuje zainwestować 1 miliard juanów w badania, rozwój i produkcję płytek epitaksjalnych GaN z materiału półprzewodnikowego trzeciej generacji. Firma powstała w lipcu 2022 roku. Jej głównymi produktami są azotek galu na krzemie (GaN na Si), azotek galu na węgliku krzemu (GaN na SiC) oraz azotek galu na szafirze (GaN na szafirze).