Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company инвестира 1 милиард юана, за да се съсредоточи върху научноизследователската и развойна дейност и производството на GaN епитаксиални пластини

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. планира да инвестира 1 милиард юана в научноизследователска и развойна дейност и производство на епитаксиални пластини GaN от трето поколение полупроводников материал. Компанията е създадена през юли 2022 г. Основните й продукти включват галиев нитрид върху силиций (GaN върху Si), галиев нитрид върху силициев карбид (GaN върху SiC) и галиев нитрид върху сапфир (GaN върху сапфир).