Tvrtka Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company uložila je 1 milijardu juana kako bi se usredotočila na istraživanje i razvoj i proizvodnju GaN epitaksijalnih pločica

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. planira uložiti 1 milijardu juana u istraživanje, razvoj i proizvodnju GaN epitaksijalnih pločica treće generacije poluvodičkog materijala. Tvrtka je osnovana u srpnju 2022. Glavni proizvodi uključuju galijev nitrid na siliciju (GaN na Si), galijev nitrid na silicij karbidu (GaN na SiC) i galijev nitrid na safiru (GaN na safiru).