Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Company investeeris 1 miljard jüaani, et keskenduda GaN epitaksiaalplaatide uurimis- ja arendustegevusele ning tootmisele

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. plaanib investeerida 1 miljard jüaani kolmanda põlvkonna pooljuhtmaterjalist GaN epitaksiaalplaatide uurimisse, arendusse ja tootmisse. Ettevõte asutati juulis 2022. Peamiste toodete hulka kuuluvad galliumnitriid ränil (GaN Si-l), galliumnitriid ränikarbiidil (GaN SiC-l) ja galliumnitriid safiiril (GaN safiiril).