Perusahaan Semikonduktor Lembah Gallium Fuzhou menginvestasikan 1 miliar yuan untuk fokus pada penelitian dan pengembangan serta produksi wafer epitaksi GaN

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. berencana untuk menginvestasikan 1 miliar yuan dalam penelitian dan pengembangan serta produksi wafer epitaksi bahan semikonduktor GaN generasi ketiga. Perusahaan ini didirikan pada Juli 2022. Produk utamanya meliputi galium nitrida pada silikon (GaN pada Si), galium nitrida pada silikon karbida (GaN pada SiC) dan galium nitrida pada safir (GaN pada Safir).