Syarikat Semikonduktor Fuzhou Gallium Valley melabur 1 bilion yuan untuk menumpukan pada R&D dan pengeluaran wafer epitaxial GaN

Fuzhou Gallium Valley Semiconductor Co., Ltd. merancang untuk melabur 1 bilion yuan dalam penyelidikan dan pembangunan serta pengeluaran wafer epitaxial GaN bahan semikonduktor generasi ketiga. Syarikat itu ditubuhkan pada Julai 2022. Produk utamanya termasuk galium nitrida pada silikon (GaN pada Si), galium nitrida pada silikon karbida (GaN pada SiC) dan galium nitrida pada nilam (GaN pada Nilam).