TSMC izstrādā SOT-MRAM masīva mikroshēmu ar enerģijas patēriņu tikai 1% no līdzīgām tehnoloģijām

TSMC ir veiksmīgi izstrādājis SOT-MRAM masīvu mikroshēmas, kuru enerģijas patēriņš ir tikai 1% no citām līdzīgām tehnoloģijām. TSMC ir izstrādājis saistītas MRAM produktu līnijas, piemēram, 22 nm un 16/12 nm procesus, un ir saņēmis pasūtījumus no atmiņas, automobiļu un citiem tirgiem.