Η Tongguang Co., Ltd. ολοκλήρωσε 1,5 δισεκατομμύρια γιουάν σε χρηματοδότηση της σειράς F για να επιταχύνει τη διάταξη των μονοκρυσταλλικών υποστρωμάτων καρβιδίου του πυριτίου

Η Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) ανακοίνωσε την ολοκλήρωση της χρηματοδότησης της σειράς F. Η κλίμακα αυτού του γύρου χρηματοδότησης είναι 1,5 δισεκατομμύρια γιουάν. Χρηματοδοτείται από το Shenzhen Venture Capital New Materials Fund for Manufacturing Transformation and Upgrading (αναφέρεται ως "Shenzhen Venture Capital New Materials Fund") και το Beijing-Tianjin-Hebei Coordinated Development Industrial Investment. Ταμείο (αναφέρεται ως "Beijing-Tianjin-Hebei Industrial Investment Fund") ηγήθηκε της επένδυσης και επενδύθηκε από κοινού από την Baoding High-tech Zone Venture Capital Co., Ltd. ("High-tech Venture Capital") και την Hebei). Κέντρο Βιομηχανικών Επενδύσεων και Ανάπτυξης Νέας Βιομηχανίας ("Hebei Industrial Investment"), με αποτίμηση άνω των 10 δισεκατομμυρίων γιουάν. Τον Απρίλιο του τρέχοντος έτους, κυκλοφόρησε το αγώγιμο δείγμα κρυστάλλου καρβιδίου του πυριτίου 8 ιντσών, το οποίο αναμένεται να επιτύχει παραγωγή μικρής παρτίδας μέχρι το τέλος του έτους και μπορεί να εφαρμοστεί στον τομέα των ηλεκτρικών οχημάτων για να βελτιώσει σημαντικά τη διάρκεια ζωής της μπαταρίας.