Tongguang Co., Ltd. fullførte 1,5 milliarder yuan i serie F-finansiering for å akselerere utformingen av silisiumkarbid-enkrystallsubstrater

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) annonserte fullføringen av serie F-finansiering. Omfanget av denne finansieringsrunden er 1,5 milliarder yuan. Den er finansiert av Shenzhen Venture Capital New Materials Fund for Manufacturing Transformation and Upgrade (referert til som "Shenzhen Venture Capital New Materials Fund") og Beijing-Tianjin-Hebei Coordinated Development Industrial Investment. Fondet (referert til som "Beijing-Tianjin-Hebei Industrial Investment Fund") ledet investeringen, og ble investert i fellesskap av Baoding High-tech Zone Venture Capital Co., Ltd. ("High-tech Venture Capital") og Hebei. Industrial Investment and New Industry Development Center ("Hebei Industrial Investment"), med en verdi på over 10 milliarder yuan. I april i år ble Tongguangs 8-tommers ledende silisiumkarbidkrystallprøve utgitt. Den forventes å oppnå liten batchproduksjon innen slutten av året og kan brukes innen elektriske kjøretøy for å forbedre batterilevetiden.