Компания Tongguang Co., Ltd. завершила финансирование серии F на сумму 1,5 млрд юаней для ускорения разработки монокристаллических подложек из карбида кремния.

Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. (Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd.) объявила о завершении финансирования серии F. Масштаб этого раунда финансирования составляет 1,5 миллиарда юаней. Он финансируется Шэньчжэньским фондом венчурного капитала по новым материалам для трансформации и модернизации производства (именуемым «Шэньчжэньский фонд венчурного капитала по новым материалам») и скоординированным инвестиционным инвестиционным проектом Пекин-Тяньцзинь-Хэбэй. Фонд (именуемый «Промышленный инвестиционный фонд Пекин-Тяньцзинь-Хэбэй») возглавил инвестиции и был совместно проинвестирован Baoding High-tech Zone Venture Capital Co., Ltd. («Высокотехнологичный венчурный капитал») и Хэбэй. Центр промышленных инвестиций и развития новой промышленности («Промышленные инвестиции Хэбэя») с оценкой более 10 миллиардов юаней. В апреле этого года компания Tongguang выпустила 8-дюймовый образец проводящего кристалла карбида кремния. Ожидается, что к концу года он будет запущен в мелкосерийное производство и может быть применен в области электромобилей для значительного увеличения срока службы аккумуляторов.