Prva faza Jingyitong Semiconductor IGBT projekta je ograničena i očekuje se da će godišnja vrijednost proizvodnje dosegnuti milijardu juana.

Prva faza projekta industrijskog parka za materijal i modul za pakiranje i testiranje modula IGBT tvrtke Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. uspješno je završena. Ukupna investicija projekta iznosi 1,2 milijarde juana, a očekuje se da će godišnja vrijednost proizvodnje dosegnuti 1 milijardu juana. Projekt se nalazi u Baima Electronic Information Industrial Parku, Neijiang High-tech Zone, a očekuje se da će biti dovršen i isporučen u travnju sljedeće godine.