Jingyitong Semiconductor IGBT projekti esimene etapp on piiratud ja aastane toodangu väärtus peaks jõudma 1 miljardi jüaanini.

Jingyitong (Sichuan) Semiconductor Technology Co., Ltd. IGBT-mooduli materjalide ning pakendamis- ja testimismooduli tööstuspargi projekti esimene etapp on edukalt lõpule viidud. Projekti koguinvesteering on 1,2 miljardit jüaani ja aastane toodangu väärtus ulatub eeldatavasti 1 miljardi jüaanini. Projekt asub Baima Electronic Information Industrial Parkis, Neijiangi kõrgtehnoloogilises tsoonis ning eeldatavasti valmib ja tarnitakse järgmise aasta aprillis.