希科半導體成功實現8吋SiC外延片量產

希科半導體科技（蘇州）有限公司宣布，其研發團隊已成功實現國產8吋（200mm）碳化矽（SiC）基板上的同質外延生長，並具備8吋SiC外延片的量產能力。該公司生產的8吋SiC外延片品質達到國際先進水平，且3mm*3mm管芯良率達97%以上。