C&Kセミコンダクター、8インチSiCエピタキシャルウェーハの量産に成功

C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd.は、同社の研究開発チームが国産の8インチ（200mm）炭化ケイ素（SiC）基板上でのホモエピタキシャル成長に成功し、8インチSiCエピタキシャルウェーハの量産能力を備えたと発表した。同社が生産する8インチSiCエピタキシャルウェーハの品質は国際先進レベルに達しており、3mm×3mmのダイ歩留まりは97％以上に達している。