C&K Semiconductor успішно досягла масового виробництва 8-дюймових епітаксіальних пластин SiC

Компанія C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd. оголосила, що її дослідницька команда успішно досягла гомоепітаксійного зростання на внутрішній 8-дюймовій (200 мм) підкладці з карбіду кремнію (SiC) і має можливості для масового виробництва 8-дюймових епітаксіальних пластин SiC. Якість 8-дюймових епітаксіальних пластин SiC, вироблених компанією, досягла передового міжнародного рівня, а продуктивність матриці 3 мм*3 мм досягла понад 97%.