A C&K Semiconductor sikeresen megvalósította a 8 hüvelykes SiC epitaxiális lapkák tömeggyártását

A C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd. bejelentette, hogy K+F csapata sikeresen elérte a homoepitaxiális növekedést hazai 8 hüvelykes (200 mm) szilícium-karbid (SiC) hordozón, és tömeggyártási képességekkel rendelkezik a 8 hüvelykes SiC epitaxiális lapkákhoz. A cég által gyártott 8 hüvelykes SiC epitaxiális ostyák minősége elérte a nemzetközi haladó szintet, a 3 mm*3 mm-es szerszámhozam pedig több mint 97%-ot.