C&K Semiconductor با موفقیت به تولید انبوه ویفرهای اپیتاکسیال SiC 8 اینچی دست یافت.

C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Ltd. اعلام کرد که تیم تحقیق و توسعه آن با موفقیت به رشد هماپیتاکسی روی یک بستر کاربید سیلیکون 8 اینچی (200 میلی متر) داخلی (SiC) دست یافته است و قابلیت تولید انبوه ویفرهای همپای SiC 8 اینچی را دارد. کیفیت ویفرهای اپیتاکسیال SiC 8 اینچی تولید شده توسط این شرکت به سطح پیشرفته بین المللی رسیده است و بازده قالب 3mm*3mm به بیش از 97% رسیده است.