C&K Semiconductor השיגה בהצלחה ייצור המוני של פרוסות SiC אפיטקסיאליות בגודל 8 אינץ'

C&K Semiconductor Technology (Suzhou) Co., Ltd הודיעה כי צוות המו"פ שלה השיג בהצלחה צמיחה הומואפיטקסיאלית על מצע סיליקון קרביד (SiC) ביתי בגודל 8 אינץ' (200 מ"מ) ויש לו יכולות ייצור המוני עבור פרוסות SiC אפיטקסיות בגודל 8 אינץ'. האיכות של פרוסות ה-SiC האפיטקסיאליות בגודל 8 אינץ' המיוצרות על ידי החברה הגיעה לרמה הבינלאומית המתקדמת, ותפוקת המות של 3 מ"מ*3 מ"מ הגיעה ליותר מ-97%.