浙江大學杭州國際科創中心成功成長出100 mm厚的6吋碳化矽單晶

浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室采用提拉式物理气相传输（PPVT）法，成功生长出厚度突破100 mm的6英寸碳化硅单晶。这一成果将有助于降低碳化硅衬底的成本。