O Centro Internacional de Inovação Científica e Tecnológica de Hangzhou da Universidade de Zhejiang desenvolveu com sucesso um cristal único de carboneto de silício de 6 polegadas com 100 mm de espessura

Centro Internacional de Inovação Científica e Tecnológica de Hangzhou da Universidade de Zhejiang Instituto de Pesquisa de Semicondutores Avançados - Laboratório Conjunto de Semicondutores de Cristal Seco usou o método de transporte físico de vapor tipo pull (PPVT) para cultivar com sucesso um único cristal de carboneto de silício de 6 polegadas com uma espessura superior a 100 mm. Essa conquista ajudará a reduzir o custo dos substratos de carboneto de silício.