Zhejiangin yliopiston Hangzhoun kansainvälinen tiede- ja teknologiainnovaatiokeskus kasvatti onnistuneesti 100 mm paksun 6 tuuman piikarbidin yksikiteen

Zhejiangin yliopiston Hangzhou International Science and Technology Innovation Center Advanced Semiconductor Research Institute-Dry Crystal Semiconductor Joint Laboratory käytti vetotyyppistä fyysistä höyrynsiirtomenetelmää (PPVT) kasvattaakseen onnistuneesti 6 tuuman piikarbidiyksikidettä, jonka paksuus ylitti 100 mm. Tämä saavutus auttaa alentamaan piikarbidisubstraattien kustannuksia.