El Centro Internacional de Innovación en Ciencia y Tecnología de Hangzhou de la Universidad de Zhejiang desarrolló con éxito un monocristal de carburo de silicio de 6 pulgadas y 100 mm de espesor

El Centro Internacional de Innovación en Ciencia y Tecnología de Hangzhou de la Universidad de Zhejiang, el Instituto de Investigación de Semiconductores Avanzados y el Laboratorio Conjunto de Semiconductores de Cristal Seco, utilizaron el método de transporte físico de vapor de tipo tracción (PPVT) para hacer crecer con éxito un monocristal de carburo de silicio de 6 pulgadas con un espesor superior a 100 mm. Este logro ayudará a reducir el coste de los sustratos de carburo de silicio.