Il Centro internazionale di innovazione scientifica e tecnologica dell'Università di Zhejiang Hangzhou ha sviluppato con successo un monocristallo di carburo di silicio da 6 pollici di spessore 100 mm

Il Centro internazionale di innovazione scientifica e tecnologica dell'Università di Zhejiang Hangzhou Advanced Semiconductor Research Institute e il laboratorio congiunto Dry Crystal Semiconductor hanno utilizzato il metodo di trasporto fisico del vapore (PPVT) di tipo pull per far crescere con successo un singolo cristallo di carburo di silicio da 6 pollici con uno spessore superiore a 100 mm. Questo risultato contribuirà a ridurre il costo dei substrati di carburo di silicio.