Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Center huet erfollegräich en 100 mm décke 6-Zoll Siliziumkarbid Eenkristall gewuess

Zhejiang University Hangzhou International Science and Technology Innovation Center Advanced Semiconductor Research Institute-Dry Crystal Semiconductor Joint Laboratory benotzt d'Pull-Typ Physical Vapor Transport (PPVT) Method fir erfollegräich e 6-Zoll Siliziumkarbid Eenkristall mat enger Dicke iwwer 100 mm ze wuessen. Dës Erreeche hëlleft d'Käschte vu Siliziumkarbidsubstrater ze reduzéieren.