北半導體雙面散熱模組試製成功，750V等級IGBT模組及1200V等級SiC模組具備量產能力

2023年11月，北半導體雙面散熱模組（DSC）試製成功。經過不斷優化製程和模具以及進行可靠性考核，今年3月，北一半導體750V等級IGBT模組及1200V等級SiC模組具備了量產能力，封裝良率超過業界水準。