Beiyi Semiconductor sėkmingai išbandė dvipusius šilumos išsklaidymo modulius, 750 V lygio IGBT modulius ir 1200 V lygio SiC modulius, turinčius masinės gamybos galimybes.

50
2023 m. lapkritį „Beiyi Semiconductor“ dvipusis aušinimo modulis (DSC) buvo sėkmingai pagamintas bandomuoju būdu. Po nuolatinio procesų ir formų optimizavimo bei patikimumo vertinimo šių metų kovą „Beiyi Semiconductor“ pasiekė masinės 750 V lygio IGBT modulių ir 1200 V lygio SiC modulių gamybos pajėgumus, o pakuotės išeiga viršijo pramonės lygį.