Sandia National Laboratories demonstriert vertikalen 1,2-kV-GaN-MOSFET für die Automobilindustrie

Das US-Energieministerium (DOE) gab bekannt, dass den Sandia National Laboratories ein großer Durchbruch bei vertikalen Galliumnitrid-Geräten für die Automobilindustrie gelungen ist. Sie stellten einen 1200-V-GaN-MOSFET vor, der das erste Gerät ist, das ein Hafniumdioxid (HfO2)-Gate-Dielektrikum integriert. Der Prozess der Sandia National Laboratories erreichte erfolgreich einen rekordniedrigen Gate-Leckstrom und zeigte, dass seine GaN-MOSFETs eine um eine Größenordnung höhere Durchlassstromdichte leiten können als bestehende hochmoderne GaN- und SiC-Geräte.