纵慧芯光完成“3英寸化合物半导体芯片制造项目”封顶

10月23日，纵慧芯光公司宣布其“3英寸化合物半导体芯片制造项目”已经完成封顶。该项目总投资5.5亿元人民币，规划用地40亩，预计将于明年1月开始投产。投产后，该项目将具备年产3英寸砷化镓芯片和3英寸磷化铟芯片合计约5000万颗的生产能力。