炭化珪素単結晶育成技術の開発

炭化ケイ素単結晶の成長技術には、主に物理気相輸送（PVT）法、高温化学気相成長（HTCVD）法、液相法などがあります。現在、PVT 法が主流となっていますが、その成長率は緩やかです。 HTCVD 法は成長速度が速く、大きな可能性を示しています。液相法は 1960 年代に広く普及しましたが、PVT 法の技術的進歩により、徐々に疎外されていきました。しかし、PVT 法は大型の SiC 結晶の製造とコスト削減の点で課題に直面しているため、液相法が業界の注目を再燃させています。