פרויקט Sanan STMicroelectronics צפוי לייצר 480,000 שבבי כוח 8 אינץ' סיליקון קרביד רכב מסוג MOSFET מדי שנה
2024-12-24 23:41
0
ההשקעה הכוללת המתוכננת עבור פרויקט Sanan STMicroelectronics היא כ-3.2 מיליארד דולר, במטרה להשיג כושר ייצור שנתי של 480,000 שבבי כוח MOSFET מסוג סיליקון קרביד מסוג 8 אינץ'.
