Power Cube Semi entwickelt 2300-V-SiC-MOSFET und erwartet die Massenproduktion Anfang nächsten Jahres

Das südkoreanische Unternehmen Power Cube Semi gab kürzlich die erfolgreiche Entwicklung eines 2300-V-SiC-MOSFET bekannt und plant, Anfang nächsten Jahres mit der Massenproduktion zu beginnen. Dieser neue Leistungshalbleiter wird dazu beitragen, Innovationen in Bereichen wie Server-Stromversorgungen und Autoladegeräten voranzutreiben.