Power Cube Semi développe un MOSFET SiC 2 300 V et prévoit une production de masse au début de l'année prochaine

La société sud-coréenne Power Cube Semi a récemment annoncé le développement réussi d'un MOSFET SiC 2 300 V et prévoit de démarrer la production de masse au début de l'année prochaine. Ce nouveau semi-conducteur de puissance contribuera à stimuler l’innovation dans des domaines tels que les alimentations pour serveurs et les chargeurs de voiture.