A Power Cube Semi 2300 V-os SiC MOSFET-et fejleszt, és tömeggyártásra számít a jövő év elején

A dél-koreai Power Cube Semi cég a közelmúltban bejelentette a 2300 V-os SiC MOSFET sikeres fejlesztését, és azt tervezi, hogy a jövő év elején megkezdi a tömeggyártást. Ez az új teljesítmény-félvezető segít az innováció ösztönzésében olyan területeken, mint a szerverek tápegységei és az autótöltők.