Power Cube Semi розробляє SiC MOSFET на 2300 В і очікує масового виробництва на початку наступного року

Південнокорейська компанія Power Cube Semi нещодавно оголосила про успішну розробку SiC MOSFET на 2300 В і планує почати масове виробництво на початку наступного року. Цей новий силовий напівпровідник допоможе стимулювати інновації в таких сферах, як серверні блоки живлення та автомобільні зарядні пристрої.