Wertverteilung der Siliziumkarbid-Industriekette und die Bedeutung der Epitaxie

In der Siliziumkarbid-Industriekette sind Substrat und Epitaxie vorgelagerte Glieder, die 47 % bzw. 23 % der Kostenstruktur von Siliziumkarbid-Leistungsgeräten ausmachen. Die Produktionsbarrieren für hochwertige Siliziumkarbid-Epitaxiewafer sind hoch und die weltweite Nachfrage nach Siliziumkarbid-Geräten ist hoch, was zu einem knappen Angebot an hochwertigen Siliziumkarbid-Epitaxiewafern führt. Die Epitaxieschicht kann bestimmte Defekte im Substrat beseitigen und das Kristallgitter ausrichten, was einen entscheidenden Einfluss auf die Leistung des Geräts hat.