瞻芯電子第二代SiC MOSFET晶片實現比導通電阻降低25%

瞻芯電子推出的第二代SiC MOSFET晶片，相較於上一代產品，透過優化柵氧化層製程和通道設計，實現了比導通電阻降低約25%，從而降低了裝置損耗，提高了系統效率。這些晶片是基於浙江瞻芯電子SiC晶圓廠的技術平台開發，自2023年9月以來，已有十幾個採用同代技術平台的量產產品問世。