Zhanxin Electronics lança três produtos SiC MOSFET de 650 V de segunda geração, passando pela certificação de nível automotivo

A Zhanxin Electronics lançou recentemente três produtos SiC MOSFET de 650 V de segunda geração, que passaram com sucesso na rigorosa certificação de confiabilidade em nível automotivo (qualificado AEC-Q101). Esses chips SiC MOSFET de segunda geração têm os níveis de perda mais baixos do setor e tensões de acionamento de 15V ~ 18V e têm boa compatibilidade. Esses três produtos possuem resistências de 25mΩ, 40mΩ e 60mΩ respectivamente, e são embalados em TO247-4 e podem ser usados ​​na faixa de temperatura operacional de -55°C a 175°C. Além disso, como o pacote TO247-4 possui pinos de fonte Kelvin, os picos de tensão do gate podem ser significativamente reduzidos.