Zhanxin Electronics lanseeraa kolme toisen sukupolven 650 V SiC MOSFET -tuotetta, jotka läpäisevät autoteollisuuden sertifioinnin

Zhanxin Electronics toi äskettäin markkinoille kolme toisen sukupolven 650 V SiC MOSFET -tuotetta, jotka ovat läpäisseet tiukan autoteollisuuden luotettavuussertifioinnin (AEC-Q101 Qualified). Näillä toisen sukupolven SiC MOSFET -siruilla on alan alhaisimmat häviötasot ja käyttöjännitteet 15 V ~ 18 V, ja niillä on hyvä yhteensopivuus. Näiden kolmen tuotteen päällekytkentävastukset ovat 25mΩ, 40mΩ ja 60mΩ, ja ne on pakattu TO247-4-pakkaukseen. Niitä voidaan käyttää käyttölämpötila-alueella -55°C - 175°C. Lisäksi, koska TO247-4-paketissa on Kelvin-lähdenastat, portin käyttöjännitepiikkejä voidaan vähentää merkittävästi.