Zhanxin Electronics meluncurkan tiga produk MOSFET SiC 650V generasi kedua, yang lulus sertifikasi tingkat otomotif

Zhanxin Electronics baru-baru ini meluncurkan tiga produk MOSFET SiC 650V generasi kedua, yang telah berhasil lulus sertifikasi keandalan tingkat otomotif yang ketat (Berkualifikasi AEC-Q101). Chip SiC MOSFET generasi kedua ini memiliki tingkat kerugian terendah di industri dan tegangan penggerak 15V~18V, serta memiliki kompatibilitas yang baik. Ketiga produk ini memiliki resistansi masing-masing 25mΩ, 40mΩ, dan 60mΩ, dan dikemas dalam TO247-4. Produk-produk tersebut dapat digunakan pada kisaran suhu pengoperasian -55°C hingga 175°C. Selain itu, karena paket TO247-4 memiliki pin sumber Kelvin, lonjakan tegangan penggerak gerbang dapat dikurangi secara signifikan.