Zhanxin Electronics melancarkan tiga produk 650V SiC MOSFET generasi kedua, lulus pensijilan gred automotif

Zhanxin Electronics baru-baru ini melancarkan tiga produk 650V SiC MOSFET generasi kedua, yang telah berjaya melepasi pensijilan kebolehpercayaan peringkat automotif yang ketat (AEC-Q101 Qualified). Cip SiC MOSFET generasi kedua ini mempunyai tahap kerugian industri yang paling rendah dan voltan pemacu 15V~18V, dan mempunyai keserasian yang baik. Ketiga-tiga produk ini mempunyai rintangan pada 25mΩ, 40mΩ dan 60mΩ masing-masing, dan dibungkus dalam TO247-4 Mereka boleh digunakan dalam julat suhu operasi -55°C hingga 175°C. Selain itu, memandangkan pakej TO247-4 mempunyai pin sumber Kelvin, lonjakan voltan pemacu pintu boleh dikurangkan dengan ketara.