Zhanxin Electronics tres genera- tiones secundae 650V SiC MOSFET movet producta, gradus certificationes automotivas transiens

Zhanxin Electronics nuper deducti sunt tres productos secundo-generationes 650V SiC MOSFET, quae feliciter certificatione certa automotivo-gradu transierunt (AEC-Q101 secundum quid). Hae secundae-generationis SiC MOSFET astulae industriam infimum detrimentum gradus habent et intentiones 15V~18V pellunt, et bene compatibilitatem habent. Haec tria producta ob-restantias 25mΩ, 40mΩ et 60mΩ respective habent, et in TO247-4 fasciculatae sunt. Accedit, cum sarcina TO247-4 in Kelvin fontem paxillos habeat, portae clavi voltagenae clavos coegi signanter reduci possunt.