Zhanxin Electronics omoherakuã mbohapy producto mokõiha generación 650V SiC MOSFET, ohasáva certificación grado automotriz

Zhanxin Electronics nda'areiete omoherakuã mbohapy producto mokõiha generación 650V SiC MOSFET, ohasáva exitosamente estricto certificación de confiabilidad nivel automotriz (AEC-Q101 Calificado). Ko'ã chip SiC MOSFET mokõiha generación oreko nivel de pérdida imbovyvéva industria-pe ha tensión de conducción 15V ~ 18V, ha oreko compatibilidad iporãva. Ko'ã mbohapy producto oreko resistencia on-resistencia 25mΩ, 40mΩ ha 60mΩ respectivamente, ha oñembohyru TO247-4-pe Ikatu ojeporu rango temperatura de funcionamiento -55°C ha 175°C. Avei, pe paquete TO247-4 oguerekógui umi pasador fuente Kelvin rehegua, umi pico tensión impulsión compuerta rehegua ikatu tuicha oñemboguejy.