Nhà máy SiC mới của Mitsubishi Electric tại tỉnh Kumamoto dự kiến ​​sẽ bắt đầu sản xuất vào năm 2026

Mitsubishi Electric có kế hoạch xây dựng một nhà máy bán dẫn điện silicon cacbua (SiC) mới tại thành phố Kikuchi, tỉnh Kumamoto, với mức đầu tư ước tính khoảng 100 tỷ yên (khoảng 4,856 tỷ RMB). Nhà máy mới dự kiến ​​bắt đầu hoạt động vào tháng 4 năm 2026, khi đó năng lực sản xuất wafer của công ty sẽ tăng khoảng 5 lần so với năm 2022. Tòa nhà mới có sáu tầng với tổng diện tích sàn khoảng 42.000 mét vuông và sẽ được sử dụng để sản xuất tấm wafer SiC có đường kính 200 mm (8 inch). Tất cả các quy trình sẽ được kết nối thông qua hệ thống vận chuyển tự động để nâng cao hiệu quả sản xuất.